Японские ученые разработали технологию для создания чипов нового поколения

Исслeдoвaтeли изо Тoкийскoгo стoличнoгo унивeрситeтa испoльзoвaли мeтoд рaспылeния мoщныx импульсных магнетронов (HiPIMS) во (избежание создания тонких пленок изо вольфрама с беспрецедентно низким уровнем напряжения. Они равно как минимизировали количество дефектов, в надежде сформировать кристаллические пленки с напряжениями прощай 0,03 ГПа. Это открывает конец к созданию чипов нового поколения пользу кого всей электронной промышленности.

Об этом сообщило первопубликация eurekalert.org.

В современной электронике применяется методика наноразмерного осаждения тонких металлических пленок. Со временем внутренняя архитектура пленки искривляется и трескается с-за физического напряжения. В надежде исправить такой дефект, желательно нагреть пленку так, для того чтоб металл смягчился, но неважный (=маловажный) расплавился, и тогда напряжение спадет. Кабы этого не сделать, в таком случае чип в скором времени перестанет мучиться.

Данную технику нельзя обращаться к пленкам из тугоплавких металлов, примерно (сказать), из вольфрама. Он имеет высокую температуру плавления — побольше 1000 градусов по Цельсию. Благодаря чего метод нагрева не один энергозатратный, но и ограничивающий инженеров в выборе материалов.

Марш ученых из Токийского столичного университета работает надо усовершенствованием иной технологии — импульсного магнетронного осаждения методом распыления (HiPIMS), позволяющей сеять металлические пленки на кристаллах безо ограничений. Работает технология скажем: чтобы осадить металл, сверху пленку одновременно подают всплеск HiPIMS и импульс смещения, в чем дело? приводит к минимизации напряжения в пленке и нагрев сделано не нужен.

Японские исследователи решили подводить импульс смещения с задержкой в 60 микросекунд. В результате была получена плотная кристаллическая патина с низким напряжением, и они реально достигли эффекта, как около нагреве. Заменив аргон возьми криптон, команда создала пленки с напряжением (за 0,03 ГПа — такой симптом достигается при методе нагрева.

Продуктивный. Ant. неэффективный способ получения пленок минуя напряжений окажет значительное обаяние на процессы металлизации и сборка схем следующего поколения. Каста технология может быть применена к другим металлам, яко выведет электронную промышленность держи новый уровень.

Категория: обо всём